? 1999 IXYS All rights reserved
1 - 2
μs; rep. rating, pulse width limited by TVJM
tbd A
= 45°C; t
Features
p
= 10 ms (50 Hz), sine 40 A
International standard package
Planar passivated chips
Very short recovery time
Extremely low switching losses
Low IRM-values
Soft recovery behaviour
Epoxy meets UL 94V-0
Applications
Antiparallel diode for high frequency
switching devices
Antisaturation diode
Snubber diode
Free wheeling diode in converters
and motor control circuits
Rectifiers in switch mode power
μA
supplies (SMPS)
Inductive heating
Uninterruptible power supplies (UPS)
Ultrasonic cleaners and welders
Advantages
μs; 40 ns
= 25°C
Avalanche voltage rated for reliable
operation
μs8.5A
Soft reverse recovery for low
EMI/RFI
Low IRM
reduces:
- Power dissipation within the diode
- Turn-on loss in the commutating
switch
μs, Duty Cycle < 2.0 %
Dimensions see IXYS Catalog 2000 (CD)
TO-220 AB
C
A
A
A C A
A = Anode, C = Cathode, TAB = Cathode
C (TAB)
Pulse test:
Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %
Pulse Width = 300
Data according to IEC 60747 and per diode unless otherwise specified
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
HiPerFREDTM
Epitaxial Diode
with common cathode and soft recovery
DSEC 16-12A
IFAV
VRRM
= 1200 V
trr
= 40 ns
= 2x 10 A
VRSM
VRRM
Type
V V
1200 1200 DSEC 16-12A
Symbol Test Conditions Maximum Ratings
IFRMS
IFAVM
IFRM
14 A
TC
= 115°C; rectangular, d = 0.5 10 A
tP
< 10
IFSM
TVJ
EAS
TVJ
= 25°C; non-repetitive 6.9 mJ
IAS
= 8 A; L = 180 μH
IAR
VA
= 1.25
·VR
typ.; f = 10 kHz; repetitive 0.8 A
TVJ
TVJM
Tstg
-55...+175 °C
175 °C
-55...+150 °C
Ptot
TC
= 25°C 60 W
Md
mounting torque 0.45...0.55 Nm
4...5 lb.in.
Weight
typical 2 g
Symbol Test Conditions Characteristic Values
typ. max.
IR
TVJ
= 25°C V
R
= VRRM
TVJ
= 150°C V
R
= VRRM
60
0.25 mA
VF
IF
= 10 A; T
VJ
= 150°C 1.96 V
TVJ
= 25°C 2.94 V
RthJC
RthCH
2.5 K/W
0.5 K/W
trr
IF
= 1 A; -di/dt = 50 A/
VR
= 30 V; T
VJ
IRM
VR
= 100 V; I
F
= 12 A; -di
F/dt = 100 A/
TVJ
= 100°C
937
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